一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法
肖海波; 曾湘波; 谢小兵; 姚文杰; 彭文博; 刘石勇
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法,该方法包括:在柔性衬底上,采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层,其中,对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀;沉积完P型层后,将电池从反应室取出,用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明,能改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能,同时处理过程简便易行,具有低成本可规模化生产的优点。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN201010162332.1
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010162332.1
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22209
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
肖海波,曾湘波,谢小兵,等. 一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法. CN201010162332.1.
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