| 制作ZnO基异质结发光二极管的方法 | |
张曙光; 尹志岗; 张兴旺 ; 游经碧
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明提供一种制作ZnO基异质结发光二极管的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积p-GaN薄膜；2)在p-GaN薄膜上生长ZnO薄膜；3)采用湿法腐蚀，将p-GaN薄膜上的ZnO薄膜的一侧腐蚀掉，露出p-GaN薄膜，形成台面；4)在p-GaN薄膜的台面上制作p型电极；5)在ZnO薄膜上制作n型电极。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 专利号 | CN201010183370.5 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010183370.5 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22201 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张曙光,尹志岗,张兴旺,等. 制作ZnO基异质结发光二极管的方法. CN201010183370.5. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010183370.5.pdf（319KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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