| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 | |
闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明涉及LED芯片技术领域，公开了一种全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法。该方法基于传统LED工艺流程，在不增加任何工艺步骤的基础上，通过合理的版图设计，实现LED芯片全侧壁粗化。在不增加任何生产成本的前提下，能有效提高LED的发光效率。本发明可通过常规LED工艺流程予以实现：首先对GaN外延片进行台面刻蚀，形成侧壁锯齿状粗化的GaN台面和N型GaN沟槽，其中GaN台面包括P型GaN、量子阱和N型GaN，在P型GaN表面制备侧壁锯齿状粗化的透明导电薄膜，然后在导电薄膜上制备P型电极，在沟槽内制备N型电极。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN201010113819.0 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010113819.0 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22159 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 闫发旺,孙莉莉,张会肖,等. 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法. CN201010113819.0. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010113819.0.pdf（279KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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