| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 |
| 郭恩卿; 刘志强 ; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种氮化镓基垂直结构发光二极管芯片桥联电极制备方法，包括：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成第一台面；在第一台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜，该侧壁绝缘薄膜并覆盖外延层上表面的四周；在外延层及侧壁绝缘薄膜的上面制作P电极；然后用键合或电镀的方式，在P电极的上表面制作转移衬底；采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底，形成第二台面；在第二台面上制作绝缘薄膜，该绝缘薄膜覆盖外延层的四周及其侧壁绝缘薄膜的上表面；在第二台面的外延层的部分表面及部分绝缘薄膜的上表面，制作N电极，该N电极的焊盘在外延层以外的区域，完成发光二极管芯片桥联电极的制备。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN201010251507.6
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010251507.6
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22133
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郭恩卿,刘志强,汪炼成,等. 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法. CN201010251507.6.
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