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氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法
郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片,将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀,形成台面,该台面是LED的发光区域;步骤2:在台面上及外延层的四周,并覆盖部分外延层四周的上表面制作绝缘薄膜;步骤3:在绝缘薄膜上及覆盖外延层的上表面制作P电极;步骤4:然后用键合或电镀的方式,在P电极的上表面制作转移衬底;步骤5:采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底;步骤6:在去除衬底后的外延层的表面制作N电极,完成氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作。
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Patent NumberCN201010251508.0
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010251508.0
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22131
Collection中科院半导体照明研发中心
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GB/T 7714
郭恩卿,刘志强,汪炼成,等. 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法. CN201010251508.0.
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