| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 |
| 孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，包括：步骤1：准备并清洗衬底；步骤2：对该衬底进行前烘，然后涂敷光刻胶；步骤3：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该衬底上形成一层纳米尺寸胶点；步骤4：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该衬底；步骤5：湿法去除光刻胶并清洗，完成纳米级图形衬底的制备。本发明提供的这种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，具有易操作、低成本、低污染等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN201010263069.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010263069.5
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22127
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
孙莉莉,闫建昌,王军喜,等. 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法. CN201010263069.5.
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