| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 |
| 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2011-08-31
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 一种栅极调制垂直结构GaN基发光二极管结构，包括：一导电衬底；一p型GaN层，该p型GaN层制作在导电衬底上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在p型GaN层上；一n型GaN层，该n型GaN层制作在多量子阱有源层上；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的中间；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在n型GaN层上没有N电极的部分，并围绕N电极；一栅电极，制作在栅极绝缘层上。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
|
| 专利号 | CN201010534772.5
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN201010534772.5
|
| 专利代理人 | 汤保平
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22119
|
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘志强,郭恩卿,伊晓燕,等. 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法. CN201010534772.5.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论