SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法
王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片,包括:一衬底,该衬底用于在其上进行InxGa1-xN材料外延生长;一InxGa1-xN材料模板,该InxGa1-xN材料模板外延生长在衬底上;一纳米柱阵列,该纳米柱阵列加工形成于InxGa1-xN材料模板上;一半导体太阳能电池p-i-n结构,该p-i-n结构外延生长在纳米柱阵列的侧壁、顶部及纳米柱之间的材料模板表面。本发明同时公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片的制备方法。利用本发明,可以极大地增加单位芯片上光电转换区的面积,降低半导体薄膜表面对太阳光的反射,提高光子收集率,减少光生载流子的复合,提高器件的工作效率。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN200810226677.1
Language中文
Status公开
Application NumberCN200810226677.1
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22079
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
王辉,朱建军,张书明,等. 一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法. CN200810226677.1.
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