| 一种量子级联正多边形微腔激光器及其制作方法 |
| 李敬; 黄永箴; 杨跃德
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种量子级联正多边形微腔激光器，包括：一量子级联外延层的衬底；一下限制层，位于该衬底之上；一有源区/注入区，位于该下限制层之上；一上限制层，在该有源区/注入区之上；一上包层，包含欧姆接触层；该下限制层、有源区/注入区、上限制层和上包层的侧壁由绝缘层包裹，该绝缘层由正面电极层包裹。本发明同时公开了一种量子级联正多边形微腔激光器的制作方法。本发明用SiO2绝缘层和Ti/Ag/Au电极层包裹量子级联正多边形柱状微腔激光器的刻蚀侧壁，增强了对微腔内光场的限制，提高了微腔内模式的品质因子，而且激光器结构简单，制作工艺方便。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN200910081990.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910081990.5
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22065
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李敬,黄永箴,杨跃德. 一种量子级联正多边形微腔激光器及其制作方法. CN200910081990.5.
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