SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法
季莲; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract一种利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法,包括如下步骤:步骤1:减薄,将制作完激光器结构的外延片从衬底背面减薄;步骤2:抛光,将减薄的衬底抛光,去除减薄研磨过程中产生的机械应力;步骤3:利用激光划片技术,将激光聚焦在抛光后的衬底背面,沿横向分割道的中间,垂直于衬底背面,划一道沟槽,沟槽两边各留20μm到200μm宽度;步骤4:将激光聚焦的位置下降至沟槽底部,在已形成的沟槽处再划一次,形成解理的导向槽,并重复多次;步骤5:用裂片机将管芯沿划好的导向槽解理成条,形成具有腔面和腔长的管芯条;步骤6:沿纵向分割道的中间,划一道沟槽,并重复步骤4,用裂片机沿划好的导向槽将管芯条分割成单个管芯,完成解理。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN200910084158.0
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910084158.0
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22059
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
季莲,张书明,刘宗顺,等. 利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法. CN200910084158.0.
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