| 微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法 |
| 车凯军; 黄永箴
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法。该边发射FP激光器由下至上依次包括n型衬底(1)、下限制层(2)、有源层(3)、上限制层(4)、P型欧姆接触盖层(5)、侧面绝缘层(6)和正负电极层(7)，其中侧面绝缘层(6)和正负电极层(7)中的P型电极层用于侧向限制光场，增强腔侧向的光场或模式限制，降低腔激射阈值，提高腔端面出射效率和激光器的输出的功率。利用本发明，克服了微纳型半导体激光器定向输出的问题，并且易于分析激光器出射的FP模式，光电集成中激光光源将在二维方向上达到纳米尺寸，提高了光电器件的集成度。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN201010101999.0
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010101999.0
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21975
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
车凯军,黄永箴. 微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法. CN201010101999.0.
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