SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法
王秀平; 杨晓红; 韩勤
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法,包括:在开启电子束曝光设备以后,选择加速电压为10kV,电子束束闸大小为30μm,在涂有电子束光刻胶的晶片表面寻找颗粒聚焦,在低放大倍数下对电子束在表面的聚焦状况进行粗调;提高放大倍数,寻找更小的颗粒,继续对电子束在表面的聚焦状况进行微调,使得颗粒有清晰的边缘;将束闸大小改为10μm,调高亮度和对比度,将放大倍数保持在100k以上,在聚焦的颗粒附近对角线方向进行烧点;将束闸大小改为30μm,降低亮度和对比度,找到刚才烧的点,继续对电子束在表面的聚焦状况进行调节,直到点的边缘清晰,然后继续沿对角线方向烧点。本发明解决了涂在晶片上的电子束光刻胶表面烧不上点的问题。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN201010102016.5
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010102016.5
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21971
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
王秀平,杨晓红,韩勤. 在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法. CN201010102016.5.
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