| 一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构 |
| 翟耀; 陈少武
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构，该结构包括第一纳米线波导(5)、第二纳米线波导(6)、第一一维光子晶体光栅(1)、第二一维光子晶体光栅(2)、第三一维光子晶体光栅(3)和第四一维光子晶体光栅(4)，其中，第一一维光子晶体光栅(1)、第一纳米线波导(5)和第二一维光子晶体光栅(2)构成第一F-P谐振腔(7)；第三一维光子晶体光栅(3)、第二纳米线波导(6)和第四一维光子晶体光栅(4)构成第二F-P谐振腔(8)；该第一F-P谐振腔(7)和该第二F-P谐振腔(8)构成级联F-P谐振腔；当光波波长同时等于级联F-P谐振腔中的每个谐振腔的谐振波长时该光波能够通过该级联F-P谐振腔。本发明利用级联F-P谐振腔中的双光子吸收效应，实现了全光逻辑与功能。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN201010157655.1
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010157655.1
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21941
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
翟耀,陈少武. 一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构. CN201010157655.1.
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