一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法

	一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法
	韩培德
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2011-08-30
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	本发明公开了一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法，包括：步骤1：在弱n型Si衬底表面制绒，形成绒面；步骤2：在该绒面上制备具有杂质深能级的n型Si层；步骤3：在具有杂质深能级的n型Si层上覆盖p型半导体薄膜，与n型Si层形成pn结；步骤4：对形成pn结的掺杂Si片进行高温退火处理，以激活杂质；步骤5：在p型半导体薄膜上制备p电极，在n型Si层上制备第一n电极，在弱n型Si衬底下表面制备第二n电极。利用本发明，以实现Si对红外光的更多吸收；以实现对电池内建电场的调节，使其覆盖具有杂质深能级的n型Si层，从而分离该区域的光生电子—空穴对；以实现在杂质深能级上光生载流子的输出问题。从而提高了电池整体的光伏效率。
部门归属	集成光电子学国家重点实验室
专利号	CN201010183447.9
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN201010183447.9
专利代理人	周国城
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21925
专题	集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	韩培德. 一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法. CN201010183447.9.