| 具有纳米结构插入层的GaN基LED | |
朱继红; 张书明 ; 朱建军
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中包括：一衬底；一纳米结构模板，该纳米结构模板外延生长在衬底上，该纳米结构模板的表面为凹凸形状；一插入层，该插入层外延生长在纳米结构模板的表面上；一N型欧姆接触层，该欧姆接触层外延生长在插入层上，该欧姆接触层上面的一侧形成有一台面；一有源层，该有源层外延生长在N型欧姆接触层的台面的另一侧上；一P型层，P型层外延生长在有源层上；一透明电极层，该透明电极层制作在P型层上；一P压焊电极，该压焊电极通过光刻制作在透明电极上；一N欧姆接触电极，该欧姆接触电极22制作在N型欧姆接触层的台面上。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010183393.6 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010183393.6 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21923 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 朱继红,张书明,朱建军. 具有纳米结构插入层的GaN基LED. CN201010183393.6. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010183393.6.pdf（355KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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