SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
具有纳米结构插入层的GaN基LED
朱继红; 张书明; 朱建军
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract一种具有纳米结构插入层的GaN基LED,其中包括:一衬底;一纳米结构模板,该纳米结构模板外延生长在衬底上,该纳米结构模板的表面为凹凸形状;一插入层,该插入层外延生长在纳米结构模板的表面上;一N型欧姆接触层,该欧姆接触层外延生长在插入层上,该欧姆接触层上面的一侧形成有一台面;一有源层,该有源层外延生长在N型欧姆接触层的台面的另一侧上;一P型层,P型层外延生长在有源层上;一透明电极层,该透明电极层制作在P型层上;一P压焊电极,该压焊电极通过光刻制作在透明电极上;一N欧姆接触电极,该欧姆接触电极22制作在N型欧姆接触层的台面上。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN201010183393.6
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010183393.6
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21923
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
朱继红,张书明,朱建军. 具有纳米结构插入层的GaN基LED. CN201010183393.6.
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