| 一种提高电子束曝光效率的方法 | |
| 王秀平; 杨晓红; 韩勤; 王杰; 刘少卿 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种提高电子束曝光效率的方法，该方法利用电子束曝光中的邻近效应，在曝光的版图设计时利用平行间隔线条曝光图形取代大面积曝光图形，使实际曝光图形只占大面积曝光图形的一半，从而有效的降低了电子束曝光的面积，减少了电子束曝光的时间，提高了电子束曝光的效率，降低了微纳加工的成本。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 专利号 | CN201010201513.0 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010201513.0 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21919 |
| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王秀平,杨晓红,韩勤,等. 一种提高电子束曝光效率的方法. CN201010201513.0. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010201513.0.pdf（1194KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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