| 非直线锥形倒锥耦合器结构 | |
任光辉 ; 陈少武
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明提供一种非直线锥形倒锥耦合器结构，包括：一硅衬底；一埋氧层，该埋氧层制作在衬底上，该埋氧层的材料为二氧化硅；一顶层硅，该顶层硅制作在埋氧层上，可以有效的防止光泄漏到衬底中，该顶层硅的一端为条形波导，另一端为倒锥耦合器，其中该倒锥耦合器为渐变的指数型或二次方型结构，该倒锥耦合器的工作波长为1500nm到1600nm，其插入损耗的波动小于0.3dB。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 专利号 | CN201010207340.3 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010207340.3 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21915 |
| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任光辉,陈少武. 非直线锥形倒锥耦合器结构. CN201010207340.3. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010207340.3.pdf（317KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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