SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法
韩培德
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法,该电池是在第一导电类型衬底的迎光面上依序具有一迎光面第二导电类型层和一介质钝化层,所述介质钝化层表面为广谱减反结构;在所述第一导电类型衬底背光面上依序具有一背光面第一导电类型层及一背光面第二导电类型层;在所述迎光面第二导电类型层上形成第一电极、在所述背光面第二导电类型层上形成第二电极、在所述背光面第一导电类型层上形成第三电极,构成所述双结太阳电池;相邻电池的同种电极相互连接,调整电压及并联,形成电池板组件的两端输出。利用本发明,拓宽了电池的光电转换谱,从而提高电池效率。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN201010256972.9
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010256972.9
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21901
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
韩培德. 一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法. CN201010256972.9.
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