SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法
韩培德
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法,该单晶薄膜异质结太阳电池包括:第一导电类型衬底;在该第一导电类型衬底的迎光面上依序形成的迎光面第二导电类型单晶层和钝化介质层,且钝化介质层表面为绒面;在该第一导电类型衬底的背光面上依序形成的背光面第一导电类型单晶层和绝缘介质层;在该迎光面第二导电类型单晶层上形成的第一电极;以及在该背光面第一导电类型单晶层上形成的第二电极。利用本发明,避免了非晶硅薄膜中载流子迁移率低、少子寿命短的不足,从而提高本征薄层异质结太阳电池效率。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN201010531371.4
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010531371.4
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21885
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
韩培德. 一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法. CN201010531371.4.
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