SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法
孙晓明; 郑厚植; 章昊
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract一种判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法,包括如下步骤:设计无上反射镜谐振腔增强型光电探测器的结构,形成探测器样品;将设计的探测器样品生长好以后,利用光谱仪测量样品的反射谱,标出反射谱中高反带区域的各个漏模;依据光学传输矩阵的原理编辑模拟程序,模拟得到与设计的无上反射镜谐振腔增强型光电探测器结构以及层厚完全一致的理论模拟反射谱;调节模拟程序中反射镜各层和腔体各层的厚度,使模拟得到的反射谱与实验测得的反射谱保持一致,然后改变模拟程序中吸收层的吸收系数,并观察模拟反射谱中各个漏模的变化,而同时源自谐振腔模式的漏模即腔模不会发生任何变化,从而判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器反射谱中的漏模是来自有源区吸收还是来自腔模。
metadata_83半导体超晶格国家重点实验室
Patent NumberCN200910091400.7
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910091400.7
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21867
Collection半导体超晶格国家重点实验室
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GB/T 7714
孙晓明,郑厚植,章昊. 判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法. CN200910091400.7.
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