SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法
朱峰; 李京波
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法,包括以下步骤:利用化学清剂将InAs单晶片表面清洗干净,并利用酸刻蚀法去除表面氧化层和无机物;将处理干净的InAs单晶片放入沉积设备中,沉积一层金属扩散层;将沉积了金属扩散层的InAs单晶片放入石英管中,并抽真空后密封;将真空封闭的石英管放入加热设备中恒温加热,加速扩散过程;将加热过的石英管切割开后,取出InAs单晶片,并用酸性液体刻蚀掉多余金属。用化学洗剂将InAs单晶片清洗干净,完成制备。利用本发明,能够制备出InAs体单晶的温度在300K以上的铁磁性半导体材料,且整个制备过程中所使用的设备都是技术成熟,产业常用的设备,而且缩短了制备成本和制备时间,非常利于推广。
metadata_83半导体超晶格国家重点实验室
Patent NumberCN200910241700.9
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910241700.9
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21853
Collection半导体超晶格国家重点实验室
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GB/T 7714
朱峰,李京波. 一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法. CN200910241700.9.
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