SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法; 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法
王国伟; 汤宝; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30 ; 2011-07-14 ; 2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器,包括:GaSb衬底(1);在该GaSb衬底(1)上制备的外延片,该外延片由下至上依次包括GaSb缓冲层(2)、p型欧姆欧姆接触层(3)、InAs/GaSb超晶格层和InAs盖层(8);以及在该外延片上采用标准光刻技术及磷酸、柠檬酸溶液刻蚀露出p型欧姆欧姆接触层(3),然后分别在p型欧姆欧姆接触层(3)和InAs盖层(8)上溅射合金制作的电极。本发明同时公开了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器的方法。利用本发明,实现了利用InAs/GaSb超晶格材料制作InAs/GaSb超晶格红外光电探测器。
metadata_83半导体超晶格国家重点实验室
Application Date2010-02-03
Patent NumberCN201010106773.X
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010106773.X
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21841
Collection半导体超晶格国家重点实验室
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GB/T 7714
王国伟,汤宝,周志强,等. 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法, 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法. CN201010106773.X.
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