SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种高密度低寄生的电容装置
冯鹏; 吴南健
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种电容装置,包括:一个由多晶硅栅、栅氧及连接到一起的源、漏和N阱构成的PMOS电容,其中源、漏和N阱连接到电容装置的A端口,多晶硅栅连接到电容装置的B端口;同一层金属之间的第一电容,该同一层金属由两个连接到电容装置A端口和B端口的金属叉指构成;相邻层金属之间的第二电容,其中上层金属叉指与其投影下方的金属叉指分别连接到电容装置的A端口和B端口;MIM电容,具有上极板和下极板,上极板和下极板分别连接到电容装置的A端口和B端口。本发明通过在MOS电容上实现同层金属之间的电容、相邻金属层之间的电容、MIM电容等,最大限度的实现了单位面积上的电容。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
专利号CN201010123024.8
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010123024.8
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21837
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
冯鹏,吴南健. 一种高密度低寄生的电容装置. CN201010123024.8.
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