SEMI OpenIR  > 纳米光电子实验室
高功率980nm垂直腔面发射激光器的温度特性
何国荣; 沈文娟; 王青; 郑婉华; 陈良惠
2010
Source Publication红外与激光工程
Volume39Issue:1Pages:57-60
Abstract应变补偿量子阱结构因带宽大、增益高和波长漂移速度低等特点而成为近年来研究的热点.首次介绍了国内980 nm 高功率InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL) 变温实验,测得脉冲条件下600 μm直径的器件在10-100℃温度范围内发射波长漂移速度为0.05 nm/K,阈值电流随温度变化呈现先缓慢下降后迅速上升的特性.结合VCSEL反射谱、PL谱和增益峰值波长漂移速度,对器件阈值电流特性进行了合理的分析和解释.连续工作状态下,测试得到器件峰值功率为1 W,根据波长与耗散功率的实验曲线及热阻计算公式,可估算出垂直腔面发射激光器热阻值为10 K/W.
metadata_83纳米光电子实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,信息学院青年自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3847792
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Cited Times:3[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21716
Collection纳米光电子实验室
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GB/T 7714
何国荣,沈文娟,王青,等. 高功率980nm垂直腔面发射激光器的温度特性[J]. 红外与激光工程,2010,39(1):57-60.
APA 何国荣,沈文娟,王青,郑婉华,&陈良惠.(2010).高功率980nm垂直腔面发射激光器的温度特性.红外与激光工程,39(1),57-60.
MLA 何国荣,et al."高功率980nm垂直腔面发射激光器的温度特性".红外与激光工程 39.1(2010):57-60.
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