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表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究
陈依新; 郑婉华; 陈微; 陈良惠; 汤益丹; 沈光地
2010
Source Publication物理学报
Volume59Issue:11Pages:8083-8087
Abstract近年来, GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光效率.本文为了提高AlGaInP系LED的光提取效率,分析了常规LED光提取效率受到限制的原因,将光子晶体结构引入了AlGaInP系LED的器件结构设计,通过理论分析与实验验证,结果显示:光子晶体结构对于提高AlGaInP系LED的光提取效率同样起到了明显的效果,引入光子晶体后,LED的输出光强比常规结构LED平均提高了16%
metadata_83纳米光电子实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划,北京市自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4070004
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Cited Times:6[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21712
Collection纳米光电子实验室
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GB/T 7714
陈依新,郑婉华,陈微,等. 表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究[J]. 物理学报,2010,59(11):8083-8087.
APA 陈依新,郑婉华,陈微,陈良惠,汤益丹,&沈光地.(2010).表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究.物理学报,59(11),8083-8087.
MLA 陈依新,et al."表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究".物理学报 59.11(2010):8083-8087.
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