表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究

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	表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究
	陈依新; 郑婉华; 陈微; 陈良惠; 汤益丹; 沈光地
	2010
Source Publication	物理学报
Volume	59 Issue:11 Pages:8083-8087
Abstract	近年来, GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光效率.本文为了提高AlGaInP系LED的光提取效率,分析了常规LED光提取效率受到限制的原因,将光子晶体结构引入了AlGaInP系LED的器件结构设计,通过理论分析与实验验证,结果显示:光子晶体结构对于提高AlGaInP系LED的光提取效率同样起到了明显的效果,引入光子晶体后,LED的输出光强比常规结构LED平均提高了16%
metadata_83	纳米光电子实验室
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划,北京市自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:4070004
Date Available	2011-08-16
Citation statistics	Cited Times:6[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21712
Collection	纳米光电子实验室
Recommended Citation GB/T 7714	陈依新,郑婉华,陈微,等. 表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究[J]. 物理学报,2010,59(11):8083-8087.
APA	陈依新,郑婉华,陈微,陈良惠,汤益丹,&沈光地.(2010).表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究.物理学报,59(11),8083-8087.
MLA	陈依新,et al."表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究".物理学报 59.11(2010):8083-8087.

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