| 表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究 | |
陈依新; 郑婉华; 陈微 ; 陈良惠; 汤益丹; 沈光地
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| 2010 | |
| Source Publication | 物理学报
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| Volume | 59Issue:11Pages:8083-8087 |
| Abstract | 近年来, GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光效率.本文为了提高AlGaInP系LED的光提取效率,分析了常规LED光提取效率受到限制的原因,将光子晶体结构引入了AlGaInP系LED的器件结构设计,通过理论分析与实验验证,结果显示:光子晶体结构对于提高AlGaInP系LED的光提取效率同样起到了明显的效果,引入光子晶体后,LED的输出光强比常规结构LED平均提高了16% |
| metadata_83 | 纳米光电子实验室 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划,北京市自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:4070004 |
| Date Available | 2011-08-16 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21712 |
| Collection | 纳米光电子实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陈依新,郑婉华,陈微,等. 表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究[J]. 物理学报,2010,59(11):8083-8087. |
| APA | 陈依新,郑婉华,陈微,陈良惠,汤益丹,&沈光地.(2010).表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究.物理学报,59(11),8083-8087. |
| MLA | 陈依新,et al."表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究".物理学报 59.11(2010):8083-8087. |
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| 表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系（1099KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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