SEMI OpenIR  > 纳米光电子实验室
GaAs/InP键合电学性质的研究
何国荣; 渠红伟; 杨国华; 郑婉华; 陈良惠
2010
Source Publication量子电子学报
Volume27Issue:4Pages:469-473
AbstractIII-V族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义, 然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少. 采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合I-V测试曲线可建立键合结构的界面态 计算模型. 利用该模型对不同条件下键合的InP/GaAs电学性质做了分析比较,通过初始势垒的确定,计算并比较了各种键 合条件下GaAs/InP键合时的界面电荷及界面态密度. 实验及计算结果表明疏水处理表面550°C 条件下键合晶片对有更低的 表面初始势垒和更少的界面态密度,具有更好的I-V特性
metadata_83纳米光电子实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,深圳信息职业技术学院青年自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3910786
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21702
Collection纳米光电子实验室
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GB/T 7714
何国荣,渠红伟,杨国华,等. GaAs/InP键合电学性质的研究[J]. 量子电子学报,2010,27(4):469-473.
APA 何国荣,渠红伟,杨国华,郑婉华,&陈良惠.(2010).GaAs/InP键合电学性质的研究.量子电子学报,27(4),469-473.
MLA 何国荣,et al."GaAs/InP键合电学性质的研究".量子电子学报 27.4(2010):469-473.
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