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内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究
李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华; 曾一平
2010
Source Publication功能材料与器件学报
Volume16Issue:6Pages:596-599
Abstract研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性, 获得了量子点影响下器件的输出特性曲线. 在室温下, 通过分别测试在近红外光照和量子点充电条件下器件的 I-V特性, 证明了量子点通过类似纳米悬浮栅的作用, 对邻近沟道的二维电子气施加影响. 在 低温下观察到器件漏电流出现负微分电导现象. 这一现象可由2DEG和量子点之间的共振隧穿来解释. 这些结果提供了一种新的操作传统场效应晶体管的方法, 并有望制成新型量子点存储器
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Subject Area微电子学
Funding Organization国家自然科学基金青年基金项目“内嵌量子点的调制掺杂场效应管的光电特性”
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4111397
Date Available2011-08-16
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21692
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
李越强,刘雯,王晓东,等. 内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究[J]. 功能材料与器件学报,2010,16(6):596-599.
APA 李越强,刘雯,王晓东,陈燕凌,杨富华,&曾一平.(2010).内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究.功能材料与器件学报,16(6),596-599.
MLA 李越强,et al."内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究".功能材料与器件学报 16.6(2010):596-599.
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