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自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究
胡强; 魏同波; 段瑞飞; 羊建坤; 霍自强; 卢铁城; 曾一平
2010
Source Publication稀有金属材料与工程
Volume39Issue:12Pages:2169-2172
Abstract采用镀Ti插入层在氢化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜.X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260arcsec;5K下样品带边发光峰的半高宽为3meV,室温下样品的带边发光峰也只有20meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描电子显微镜观察显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×l07cm-2.这些结果说明镀Ti插入层有助于提高GaN外延层的晶体质量.通过Raman和低温荧光分析,可以看出自支撑GaN厚膜表面应力已经完全释放.研究了不同温度下样品的荧光特性,证明得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量
metadata_83半导体材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家"863"项目,国家自然科学基金,中科院创新计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4101087
Date Available2011-08-16
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21678
Collection半导体材料科学中心
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GB/T 7714
胡强,魏同波,段瑞飞,等. 自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究[J]. 稀有金属材料与工程,2010,39(12):2169-2172.
APA 胡强.,魏同波.,段瑞飞.,羊建坤.,霍自强.,...&曾一平.(2010).自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究.稀有金属材料与工程,39(12),2169-2172.
MLA 胡强,et al."自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究".稀有金属材料与工程 39.12(2010):2169-2172.
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