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锑化物超晶格红外探测器的研究进展
李彦波; 刘超; 张杨; 赵杰; 曾一平
2010
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume30Issue:1Pages:40864
AbstractInAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料.对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广阔的应用前景.
metadata_83半导体材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3846134
Date Available2011-08-16
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Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21674
Collection半导体材料科学中心
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GB/T 7714
李彦波,刘超,张杨,等. 锑化物超晶格红外探测器的研究进展[J]. 固体电子学研究与进展,2010,30(1):40864.
APA 李彦波,刘超,张杨,赵杰,&曾一平.(2010).锑化物超晶格红外探测器的研究进展.固体电子学研究与进展,30(1),40864.
MLA 李彦波,et al."锑化物超晶格红外探测器的研究进展".固体电子学研究与进展 30.1(2010):40864.
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