SEMI OpenIR  > 半导体材料科学中心
锑化物HEMT器件研究进展
李彦波; 刘超; 张杨; 曾一平
2011
Source Publication功能材料与器件学报
Volume17Issue:1Pages:29-35
Abstract由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能, 锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力, 有很大的发展空间. 本文中对锑化物HEMT的器件结构、器件结构改进、器件性能和应用等方面进行了评述, 并指出了当前需要解决的关键问题及其广阔的发展前景
metadata_83半导体材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4147228
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21672
Collection半导体材料科学中心
Recommended Citation
GB/T 7714
李彦波,刘超,张杨,等. 锑化物HEMT器件研究进展[J]. 功能材料与器件学报,2011,17(1):29-35.
APA 李彦波,刘超,张杨,&曾一平.(2011).锑化物HEMT器件研究进展.功能材料与器件学报,17(1),29-35.
MLA 李彦波,et al."锑化物HEMT器件研究进展".功能材料与器件学报 17.1(2011):29-35.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
锑化物HEMT器件研究进展.pdf(581KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[李彦波]'s Articles
[刘超]'s Articles
[张杨]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[李彦波]'s Articles
[刘超]'s Articles
[张杨]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[李彦波]'s Articles
[刘超]'s Articles
[张杨]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.