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高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展
张明兰; 杨瑞霞; 王晓亮; 胡国新; 高志
2010
Source Publication半导体技术
Volume35Issue:5Pages:417-422
Abstract作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表, GaN材料在各个应用领域的研究工作都受到了高度的重视。概述了基于AlGaN/GaNHEMT结构的新型高压、高频、低损耗电力开关器件的最新研究进展。从器件的结构特征入手, 详细介绍了改善器件击穿特性的途径、高频开关特性的研究情况、Si衬底上AlGaN/GaNHEMT结构材料的生长、增强型器件的制备技术和功率集成电路的研究等几个国际上的热点问题。最后, 对该项研究面临的问题及未来的发展趋势做了展望。
metadata_83半导体材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金青年科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3894729
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21670
Collection半导体材料科学中心
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GB/T 7714
张明兰,杨瑞霞,王晓亮,等. 高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展[J]. 半导体技术,2010,35(5):417-422.
APA 张明兰,杨瑞霞,王晓亮,胡国新,&高志.(2010).高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展.半导体技术,35(5),417-422.
MLA 张明兰,et al."高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展".半导体技术 35.5(2010):417-422.
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