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In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气的零场自旋分裂
周文政; 代娴; 林铁; 商丽燕; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩
2010
Source Publication广西大学学报. 自然科学版
Volume35Issue:6Pages:1027-1031
Abstract用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品.在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG).对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线.观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应.也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台.对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率.对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier trans-form,FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致.对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能,自旋弛豫时间,自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数
metadata_83半导体材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目,广西大学科研基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4098274
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21666
Collection半导体材料科学中心
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GB/T 7714
周文政,代娴,林铁,等. In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气的零场自旋分裂[J]. 广西大学学报. 自然科学版,2010,35(6):1027-1031.
APA 周文政.,代娴.,林铁.,商丽燕.,崔利杰.,...&褚君浩.(2010).In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气的零场自旋分裂.广西大学学报. 自然科学版,35(6),1027-1031.
MLA 周文政,et al."In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气的零场自旋分裂".广西大学学报. 自然科学版 35.6(2010):1027-1031.
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