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AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟
张明兰; 王晓亮; 杨瑞霞; 胡国新
2010
Source Publication半导体技术
Volume35Issue:9Pages:874-876,902
Abstract用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响. 模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,降低了栅边缘处的电场峰值,改善了器件的击穿特性;场板长度(L_(FP), length of field plate)、场板与势垒层间的介质层厚度t等对电场的分布影响很大. 随着L_(FP)的增大、t的减小,栅边缘处的电场峰值E_(peak1)明显下降,对提高器件的耐压非常有利. 通过对相同器件结构处于不同漏压下的情况进行模拟,发现当器件处于高压下时,场板的分压作用更加明显,说明场板结构更适合于制备用作电力开关器件的高击穿电压 AlGaN/GaNHEMT
metadata_83半导体材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金青年科学基金资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3981892
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21664
Collection半导体材料科学中心
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GB/T 7714
张明兰,王晓亮,杨瑞霞,等. AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟[J]. 半导体技术,2010,35(9):874-876,902.
APA 张明兰,王晓亮,杨瑞霞,&胡国新.(2010).AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟.半导体技术,35(9),874-876,902.
MLA 张明兰,et al."AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟".半导体技术 35.9(2010):874-876,902.
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AlGaN_GaNHEMT中电场分布的A(364KB) 限制开放--Application Full Text
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