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Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展
赵杰; 刘超; 李彦波; 曾一平
2011
Source Publication半导体光电
Volume32Issue:1Pages:1-5,14
AbstractⅡ-Ⅵ族镉(Cd)化物,如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点,在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用. 文章简要综述了近年来用分子束外延(MBE)工艺生长镉化物微结构材料的研究进展和器件应用动态,并对镉化物在光电子领域中的发展前景进行了展望
metadata_83半导体材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4154826
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21662
Collection半导体材料科学中心
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GB/T 7714
赵杰,刘超,李彦波,等. Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展[J]. 半导体光电,2011,32(1):1-5,14.
APA 赵杰,刘超,李彦波,&曾一平.(2011).Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展.半导体光电,32(1),1-5,14.
MLA 赵杰,et al."Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展".半导体光电 32.1(2011):1-5,14.
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