SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术
黄亚军; 刘志强; 伊晓燕; 王良臣; 王军喜; 李晋闽
2011
Source Publication半导体技术
Volume36Issue:3Pages:206-209
Abstract为了提升垂直结构LED提取效率,针对器件侧壁出光的研究越发引起研究人员的关注.由于GaN的高折射率,大部分有源区发出的光线将被限制在GaN层内横向传输.对不同刻蚀倾角侧面的光提取效率进行分析模拟,模拟结果显示,LED的提取效率可以通过侧壁倾斜角度的优化得以提升.实验结果表明,特定侧壁倾角器件的提取效率相比较垂直侧壁提高了18.75%,电致发光光谱测试(EL)结果表明,实验结论与理论计算值基本吻合.本结论对垂直结构GaN基LED器件的优化设计与性能提升有重要指导意义
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4158026
Date Available2011-08-16
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21660
Collection中科院半导体照明研发中心
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GB/T 7714
黄亚军,刘志强,伊晓燕,等. 垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术[J]. 半导体技术,2011,36(3):206-209.
APA 黄亚军,刘志强,伊晓燕,王良臣,王军喜,&李晋闽.(2011).垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术.半导体技术,36(3),206-209.
MLA 黄亚军,et al."垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术".半导体技术 36.3(2011):206-209.
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垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术.p(219KB) 限制开放--Application Full Text
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