| 退火温度对ZnS/PS薄膜的晶体结构和光电性质的影响 | |
王彩凤; 李清山; 胡波; 梁德春
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| 2010 | |
| Source Publication | 光电子·激光
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| Volume | 21Issue:12Pages:1805-1808 |
| Abstract | 用脉冲激光沉积法(PLD)在多孔硅(PS)衬底上生长ZnS薄膜,分别在300℃,400℃和500℃下真空退火.用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了退火对ZnS薄膜的晶体结构和表面形貌的影响,并测量了ZnS/PS复合体系的光致发光(PL)谱和异质结的I-V特性曲线.研究表明,ZnS薄膜仅在28.5°附近存在着(111)方向的高度取向生长,由此判断薄膜是单晶立方结构的-βZnS.随着退火温度的升高,-βZnS的(111)衍射峰强度逐渐增大,且ZnS薄膜表面变得更加均匀致密,说明高温退火可以有效地促进晶粒的结合并改善结晶质量.ZnS/PS复合体系的PL谱中,随着退火温度升高,ZnS薄膜的自激活发光强度增大,而PS的发光强度减小,说明退火处理更有利于ZnS薄膜的发光.根据三基色叠加的原理,ZnS的蓝,绿光与PS的红光相叠加,ZnS/PS体系可以发射出较强的白光.但过高的退火温度会影响整个ZnS/PS体系的白光发射.ZnS/PS异质结的I-V特性曲线呈现出整流特性,且随着退火温度的升高其正向电流增加 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 山东省自然科学基金资助项目,滨州学院科研基金资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:4084571 |
| Date Available | 2011-08-16 |
| Citation statistics |
Cited Times:2[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21654 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王彩凤,李清山,胡波,等. 退火温度对ZnS/PS薄膜的晶体结构和光电性质的影响[J]. 光电子·激光,2010,21(12):1805-1808. |
| APA | 王彩凤,李清山,胡波,&梁德春.(2010).退火温度对ZnS/PS薄膜的晶体结构和光电性质的影响.光电子·激光,21(12),1805-1808. |
| MLA | 王彩凤,et al."退火温度对ZnS/PS薄膜的晶体结构和光电性质的影响".光电子·激光 21.12(2010):1805-1808. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 退火温度对ZnS_PS薄膜的晶体结构和光（397KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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