SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室
聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面碳沉积的分形生长
苏江滨; 朱贤方; 李论雄; 王连洲; 王占国
2010
Source Publication科学通报
Volume55Issue:16Pages:1632-1637
Abstract电子束诱导沉积技术已被证实可以实现各种材料的分形生长,但是目前尚未发现聚焦电子束辐照下低维纳米结构表面未受辐照位置的分形生长现象,造成了聚焦电子束诱导分形生长机理研究的空白与片面性.以透射电子显微镜中残留的有机气体分子为前驱体,室温下利用高能聚焦电子束辐照,研究了一维非晶SiOx纳米线表面未受辐照位置碳沉积的分形生长.利用高分辨透射电子显微镜对SiOx纳米线表面非晶碳的沉积过程进行原位观察,发现了SiOx纳米线表面未受辐照位置非晶碳的不均匀沉积及分形生长,并捕捉到了碳沉积分形生长过程的细节.同时对聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面未受辐照位置非晶碳的不均匀沉积及分形生长机理进行了深入的探索
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家科技计划国际科技合作与交流专项,国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金,中澳科技合作特别基金,教育部科技研究重点项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4068415
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21646
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
苏江滨,朱贤方,李论雄,等. 聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面碳沉积的分形生长[J]. 科学通报,2010,55(16):1632-1637.
APA 苏江滨,朱贤方,李论雄,王连洲,&王占国.(2010).聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面碳沉积的分形生长.科学通报,55(16),1632-1637.
MLA 苏江滨,et al."聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面碳沉积的分形生长".科学通报 55.16(2010):1632-1637.
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