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非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究
陈燕; 邓爱红; 赵有文; 张英杰; 余鑫祥; 喻菁; 龙娟娟; 周宇璐; 张丽然
2010
Source Publication四川大学学报. 自然科学版
Volume47Issue:5Pages:1069-1072
Abstract本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构,电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3983354
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21640
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
陈燕,邓爱红,赵有文,等. 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究[J]. 四川大学学报. 自然科学版,2010,47(5):1069-1072.
APA 陈燕.,邓爱红.,赵有文.,张英杰.,余鑫祥.,...&张丽然.(2010).非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究.四川大学学报. 自然科学版,47(5),1069-1072.
MLA 陈燕,et al."非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究".四川大学学报. 自然科学版 47.5(2010):1069-1072.
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