| 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究 | |
| 陈燕; 邓爱红; 赵有文; 张英杰; 余鑫祥; 喻菁; 龙娟娟; 周宇璐; 张丽然 | |
| 2010 | |
| Source Publication | 四川大学学报. 自然科学版
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| Volume | 47Issue:5Pages:1069-1072 |
| Abstract | 本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构,电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3983354 |
| Date Available | 2011-08-16 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21640 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陈燕,邓爱红,赵有文,等. 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究[J]. 四川大学学报. 自然科学版,2010,47(5):1069-1072. |
| APA | 陈燕.,邓爱红.,赵有文.,张英杰.,余鑫祥.,...&张丽然.(2010).非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究.四川大学学报. 自然科学版,47(5),1069-1072. |
| MLA | 陈燕,et al."非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究".四川大学学报. 自然科学版 47.5(2010):1069-1072. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究.（441KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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