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二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析
彭银生; 叶小玲; 徐波; 牛洁斌; 贾锐; 王占国; 梁松; 杨晓红
2010
Source Publication物理学报
Volume59Issue:10Pages:7073-7077
Abstract研究了以InAs量子点为有源区的二维GaAs基光子晶体微腔的设计与制作,测试并分析了室温下微腔的光谱特性.观察到了波长约为1137nm,谱线半高宽度约为1nm的尖锐低阶谐振模式发光峰.我们比较了不同刻蚀条件下光子晶体微腔的发光谱线,结果表明空气孔洞截面的垂直度是影响光子晶体微腔发光特性的重要因素之一.通过调节干法刻蚀工艺,改变空气孔半径与晶格常数的比率,可以在较大范围内调节谐振模式发光峰位置,达到谐振模式与量子点发光峰调谐的目的
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4035187
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21638
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
彭银生,叶小玲,徐波,等. 二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析[J]. 物理学报,2010,59(10):7073-7077.
APA 彭银生.,叶小玲.,徐波.,牛洁斌.,贾锐.,...&杨晓红.(2010).二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析.物理学报,59(10),7073-7077.
MLA 彭银生,et al."二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析".物理学报 59.10(2010):7073-7077.
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