| 二次退火制备I I I-V族半导体量子点 | |
肖虎; 孟宪权; 朱振华; 金鹏 ; 刘峰奇; 王占国
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| 2010 | |
| Source Publication | 人工晶体学报
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| Volume | 39Issue:3Pages:747-750 |
| Abstract | 利用离子注入法在一块Si (001)衬底上注入了In~+和As~+,注入能量分别为210 keV, 150 keV,注入剂量6. 2 ×1016cm~(-2), 8. 6×1016cm~(-2),另一块Si (001)衬底上注入Ga~+和Sb~+,注入能量分别为140 keV, 220 keV,注入剂量分别为8. 2×1016cm~(-2), 6. 2×1016cm~(-2),然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料。用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3900118 |
| Date Available | 2011-08-16 |
| Citation statistics |
Cited Times:1[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21636 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 肖虎,孟宪权,朱振华,等. 二次退火制备I I I-V族半导体量子点[J]. 人工晶体学报,2010,39(3):747-750. |
| APA | 肖虎,孟宪权,朱振华,金鹏,刘峰奇,&王占国.(2010).二次退火制备I I I-V族半导体量子点.人工晶体学报,39(3),747-750. |
| MLA | 肖虎,et al."二次退火制备I I I-V族半导体量子点".人工晶体学报 39.3(2010):747-750. |
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