SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室
二次退火制备I I I-V族半导体量子点
肖虎; 孟宪权; 朱振华; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
2010
Source Publication人工晶体学报
Volume39Issue:3Pages:747-750
Abstract利用离子注入法在一块Si (001)衬底上注入了In~+和As~+,注入能量分别为210 keV, 150 keV,注入剂量6. 2 ×1016cm~(-2), 8. 6×1016cm~(-2),另一块Si (001)衬底上注入Ga~+和Sb~+,注入能量分别为140 keV, 220 keV,注入剂量分别为8. 2×1016cm~(-2), 6. 2×1016cm~(-2),然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料。用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3900118
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21636
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
肖虎,孟宪权,朱振华,等. 二次退火制备I I I-V族半导体量子点[J]. 人工晶体学报,2010,39(3):747-750.
APA 肖虎,孟宪权,朱振华,金鹏,刘峰奇,&王占国.(2010).二次退火制备I I I-V族半导体量子点.人工晶体学报,39(3),747-750.
MLA 肖虎,et al."二次退火制备I I I-V族半导体量子点".人工晶体学报 39.3(2010):747-750.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
二次退火制备_族半导体量子点.pdf(4447KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[肖虎]'s Articles
[孟宪权]'s Articles
[朱振华]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[肖虎]'s Articles
[孟宪权]'s Articles
[朱振华]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[肖虎]'s Articles
[孟宪权]'s Articles
[朱振华]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.