SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室
多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响
王彩凤; 李清山; 胡波; 梁德春
2010
Source Publication激光技术
Volume34Issue:6Pages:766-769
Abstract为了研究衬底多孔硅(PS)的孔隙对硫化锌/多孔硅(ZnS/PS)复合体系的光学性能和电学性质的影响,采用脉冲激光沉积方法在不同孔隙度的PS衬底上沉积了硫化锌薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计和I-V特性曲线分别研究了PS衬底上ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和ZnS/PS复合体系的光学和电学性质.结果表明,沉积的ZnS薄膜呈立方相晶体结构,沿β-ZnS(111)晶向择优取向生长.随着衬底PS孔隙的增多, ZnS薄膜衍射峰的强度减小,且薄膜表面出现一些空洞和裂缝;在ZnS/PS复合体系的光致发光谱中,PS的发光相对于未沉积ZnS薄膜的PS有所蓝移,随着PS孔隙的增多,该蓝移量增大,而且在光谱中间550nm左右出现了一个新的绿光发射,归因于ZnS的缺陷中心发光.ZnS的蓝、绿光与PS的红光相叠加,整个ZnS/PS复合体系呈现出较强的白光发射.ZnS/PS异质结的 I-V特性曲线呈现出与普通二极管相似的整流特性,在正向偏置下,电流密度较大,电压降较低;在反向偏置下,电流密度接近于0.随着衬底PS孔隙的增多,正向电流增大.该项研究结果为固态白光发射器件的实现奠定了基础
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Subject Area半导体材料
Funding Organization滨州学院"青年人才创新工程"科研基金资助项目,滨州学院科研基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4047949
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21634
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
王彩凤,李清山,胡波,等. 多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响[J]. 激光技术,2010,34(6):766-769.
APA 王彩凤,李清山,胡波,&梁德春.(2010).多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响.激光技术,34(6),766-769.
MLA 王彩凤,et al."多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响".激光技术 34.6(2010):766-769.
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