| InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析 | |
| 胡炜杰; 赵有文; 段满龙; 王应利; 王俊 | |
| 2010 | |
| Source Publication | 人工晶体学报
 |
| Volume | 39Issue:4Pages:878-882 |
| Abstract | 利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分别研究了InAs单晶抛光片的表面形貌和化学构成. 结果表明:机械化学抛光工艺条件和清洗腐蚀过程对InAs单晶抛光片表面的化学组分构成和表面粗糙度有很大的影响. 通常情况下, InAs单晶抛光片的表面氧化层中含有In_2O_3、As_2 O_5、As_2 O_3及元素As, 而随着As的挥发, 使抛光片表面化学计量比明显富铟. 通过适当的化学处理控制其表面的化学组分, 减小了表面粗糙度, 从而获得材料外延生长所要求的开盒即用InAs单晶衬底 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3964120 |
| Date Available | 2011-08-16 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21616 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 胡炜杰,赵有文,段满龙,等. InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析[J]. 人工晶体学报,2010,39(4):878-882. |
| APA | 胡炜杰,赵有文,段满龙,王应利,&王俊.(2010).InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析.人工晶体学报,39(4),878-882. |
| MLA | 胡炜杰,et al."InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析".人工晶体学报 39.4(2010):878-882. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析（687KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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