| 一种测量p-GaN载流子浓度的方法 | |
周梅; 赵德刚
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| 2011 | |
| Source Publication | 物理学报
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| Volume | 60Issue:3Pages:721-728 |
| Abstract | 提出了一种测量p-GaN载流子浓度的方法,其主要思想是利用p-n+结构GaN探测器长波和短波量子效率的差值随反向偏压的变化关系,找到p-GaN层刚好完全耗尽时的偏压,从而求出p-GaN层载流子浓度.模拟计算表明,该方法能够准确测量出p-GaN层的载流子浓度,而且受表面复合,欧姆接触影响很小.进一步研究了实际测量中如何选择p-GaN层厚度,计算结果表明,p-GaN层的优化厚度值随着p-GaN层的浓度增加而减小 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 集成光电子学国家重点实验室开放课题,中央高校基本科研业务费专项资金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:4153610 |
| Date Available | 2011-08-16 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21604 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 周梅,赵德刚. 一种测量p-GaN载流子浓度的方法[J]. 物理学报,2011,60(3):721-728. |
| APA | 周梅,&赵德刚.(2011).一种测量p-GaN载流子浓度的方法.物理学报,60(3),721-728. |
| MLA | 周梅,et al."一种测量p-GaN载流子浓度的方法".物理学报 60.3(2011):721-728. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种测量p-GaN载流子浓度的方法.pd（1225KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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