SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
一种测量p-GaN载流子浓度的方法
周梅; 赵德刚
2011
Source Publication物理学报
Volume60Issue:3Pages:721-728
Abstract提出了一种测量p-GaN载流子浓度的方法,其主要思想是利用p-n+结构GaN探测器长波和短波量子效率的差值随反向偏压的变化关系,找到p-GaN层刚好完全耗尽时的偏压,从而求出p-GaN层载流子浓度.模拟计算表明,该方法能够准确测量出p-GaN层的载流子浓度,而且受表面复合,欧姆接触影响很小.进一步研究了实际测量中如何选择p-GaN层厚度,计算结果表明,p-GaN层的优化厚度值随着p-GaN层的浓度增加而减小
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization集成光电子学国家重点实验室开放课题,中央高校基本科研业务费专项资金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4153610
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21604
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
周梅,赵德刚. 一种测量p-GaN载流子浓度的方法[J]. 物理学报,2011,60(3):721-728.
APA 周梅,&赵德刚.(2011).一种测量p-GaN载流子浓度的方法.物理学报,60(3),721-728.
MLA 周梅,et al."一种测量p-GaN载流子浓度的方法".物理学报 60.3(2011):721-728.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
一种测量p-GaN载流子浓度的方法.pd(1225KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[周梅]'s Articles
[赵德刚]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[周梅]'s Articles
[赵德刚]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[周梅]'s Articles
[赵德刚]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.