SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
外延生长Gel-xSnx合金的研究进展
苏少坚; 汪巍; 胡炜玄; 张广泽; 薛春来; 左玉华; 成步文; 王启明
2010
Source Publication材料导报
Volume24Issue:11上Pages:90-93,117
AbstractGe_1-xSn_x是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝.采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差.采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge_1-xSn_x合金,但是所用的Sn气体源难以获得.综述了Ge_1-xSn_x合金外延生长的研究进展
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization973课题,集成光电子学国家重点实验室自主研究课题,中国科学院半导体研究所青年人才领域前沿项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4042734
Date Available2011-08-16
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21600
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
苏少坚,汪巍,胡炜玄,等. 外延生长Gel-xSnx合金的研究进展[J]. 材料导报,2010,24(11上):90-93,117.
APA 苏少坚.,汪巍.,胡炜玄.,张广泽.,薛春来.,...&王启明.(2010).外延生长Gel-xSnx合金的研究进展.材料导报,24(11上),90-93,117.
MLA 苏少坚,et al."外延生长Gel-xSnx合金的研究进展".材料导报 24.11上(2010):90-93,117.
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