SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
王秀平; 杨晓红; 韩勤; 鞠研玲; 杜云; 朱彬; 王杰; 倪海桥; 贺继方; 王国伟; 牛智川
2011
Source Publication物理学报
Volume60Issue:2Pages:020703-1-020703-5
Abstract报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构, 量子线尺寸约为底边60 nm高14 nm的近三角形.低温87 K下光致发光谱测试在793.7和799.5 nm处出现峰值, 验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示, 相比等宽度量子阱有8 meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4120395
Date Available2011-08-16
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21598
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
王秀平,杨晓红,韩勤,等. 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究[J]. 物理学报,2011,60(2):020703-1-020703-5.
APA 王秀平.,杨晓红.,韩勤.,鞠研玲.,杜云.,...&牛智川.(2011).图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究.物理学报,60(2),020703-1-020703-5.
MLA 王秀平,et al."图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究".物理学报 60.2(2011):020703-1-020703-5.
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图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究.p(634KB) 限制开放--Application Full Text
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