| 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究 | |
王秀平 ; 杨晓红; 韩勤; 鞠研玲; 杜云; 朱彬; 王杰; 倪海桥; 贺继方; 王国伟; 牛智川
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| 2011 | |
| Source Publication | 物理学报
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| Volume | 60Issue:2Pages:020703-1-020703-5 |
| Abstract | 报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构, 量子线尺寸约为底边60 nm高14 nm的近三角形.低温87 K下光致发光谱测试在793.7和799.5 nm处出现峰值, 验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示, 相比等宽度量子阱有8 meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:4120395 |
| Date Available | 2011-08-16 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21598 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王秀平,杨晓红,韩勤,等. 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究[J]. 物理学报,2011,60(2):020703-1-020703-5. |
| APA | 王秀平.,杨晓红.,韩勤.,鞠研玲.,杜云.,...&牛智川.(2011).图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究.物理学报,60(2),020703-1-020703-5. |
| MLA | 王秀平,et al."图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究".物理学报 60.2(2011):020703-1-020703-5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究.p（634KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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