| 条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析 | |
杨广华; 毛陆虹; 黄春红; 王伟 ; 郭维廉
| |
| 2010 | |
| Source Publication | 发光学报
 |
| Volume | 31Issue:3Pages:369-372 |
| Abstract | 采用0.35μm双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型Si LED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结，n阱为叉指结构，嵌入到p衬底中而结合成Si pn结LED。观察了Si LED发光显微图形及实际器件的版图，并在对器件进行了正、反向I-V特性测试、光功率及光谱特性的测量。Si LED的正向偏置时开启电压为0.9 V，反向偏置时在15 V左右可观察到发光。器件在室温下反向偏置时，10 V，100 mA电流下所得输出光功率为12.6 nW，发光峰值在758 nm处。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金,天津市基础研究重点项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3901065 |
| Date Available | 2011-08-16 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21596 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨广华,毛陆虹,黄春红,等. 条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析[J]. 发光学报,2010,31(3):369-372. |
| APA | 杨广华,毛陆虹,黄春红,王伟,&郭维廉.(2010).条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析.发光学报,31(3),369-372. |
| MLA | 杨广华,et al."条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析".发光学报 31.3(2010):369-372. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分（453KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment