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器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响
邓懿; 赵德刚; 吴亮亮; 刘宗顺; 朱建军; 江德生; 张书明; 梁骏吾
2010
Source Publication物理学报
Volume59Issue:12Pages:8903-8909
Abstract研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效率,当本底载流子浓度不能进一步降低时,可以通过减小AlGaN层的厚度以保证器件的量子效率.在材料生长和器件工艺过程中都应减少界面态.外加较小的反向偏压能大幅度提高紫外量子效率,分析表明, GaN/AlGaN/GaN形成的两个背靠背,方向相反的异质结电场是出现这些现象的根本原因.在实际器件设计中,应该根据需要调节各结构参数,以保证器件的量子效率
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家杰出青年科学基金,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4070122
Date Available2011-08-16
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21588
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
邓懿,赵德刚,吴亮亮,等. 器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响[J]. 物理学报,2010,59(12):8903-8909.
APA 邓懿.,赵德刚.,吴亮亮.,刘宗顺.,朱建军.,...&梁骏吾.(2010).器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响.物理学报,59(12),8903-8909.
MLA 邓懿,et al."器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响".物理学报 59.12(2010):8903-8909.
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