SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
基于硅基二氧化硅阵列波导光栅宽带低串扰单纤三向器
李俊一; 安俊明; 吴远大; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
2010
Source Publication光子学报
Volume39Issue:2Pages:205-209
Abstract采用硅基二氧化硅阵列波导光栅设计并制作了宽带低串扰单纤三向器.为使三个波长间隔相差较大的输出谱获得相同的带宽,在输出波导与罗兰圆交界采用了不同结构的多模干涉器.二维有限差分束传播法的模拟结果表明,理论上1 310 nm、1 490 nm和1 550 nm波长的3 dB带宽分别达到23 nm、23.5 nm和25 nm,插入损耗均为4 dB,1 310 nm波长的串扰小于-40 dB,1 490 nm与1 550 nm波长间串扰小于-40 dB;采用宽带光源测试结果表明,1 550 nm波长的3 dB带宽为23 nm,采用三个独立窄带光源测试结果表明,三个波长的插入损耗均为7 dB,1 310 nm波长的串扰小于-40 dB,1 490 nm与1 550 nm波长间的串扰小于-39 dB,测试与模拟结果基本一致.
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3819487
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21578
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
李俊一,安俊明,吴远大,等. 基于硅基二氧化硅阵列波导光栅宽带低串扰单纤三向器[J]. 光子学报,2010,39(2):205-209.
APA 李俊一,安俊明,吴远大,李建光,王红杰,&胡雄伟.(2010).基于硅基二氧化硅阵列波导光栅宽带低串扰单纤三向器.光子学报,39(2),205-209.
MLA 李俊一,et al."基于硅基二氧化硅阵列波导光栅宽带低串扰单纤三向器".光子学报 39.2(2010):205-209.
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