SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
基于复合磁电材料的新型磁传感器高CMRR前端放大器设计
陈帅; 景为平; 陈弘达; 鲁华祥; 李言谨
2010
Source Publication磁性材料及器件
Volume41Issue:6Pages:41-45
Abstract由于弛豫铁电材料磁电传感器是微弱的高阻抗信号源,很容易给系统引入50Hz的强干扰信号,基于这一特点,设计了一款高共模抑制比(CMRR)的前端放大器集成电路.电路采用了适用于低电压工作的高输出阻抗CMOS电流镜结构以保证电路中电流镜的大输出摆幅和高输出阻抗;采用电流反馈放大器结构以获得高CMRR.仿真研究表明,该电路基本满足设计要求,性能优良
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area半导体器件
Funding Organization传感技术联合国家重点实验室基金资助项目,南通市科技局2009AA科技创新计划(工业)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4082569
Date Available2011-08-16
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Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21572
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
陈帅,景为平,陈弘达,等. 基于复合磁电材料的新型磁传感器高CMRR前端放大器设计[J]. 磁性材料及器件,2010,41(6):41-45.
APA 陈帅,景为平,陈弘达,鲁华祥,&李言谨.(2010).基于复合磁电材料的新型磁传感器高CMRR前端放大器设计.磁性材料及器件,41(6),41-45.
MLA 陈帅,et al."基于复合磁电材料的新型磁传感器高CMRR前端放大器设计".磁性材料及器件 41.6(2010):41-45.
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